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[发明专利]减轻双曝光工艺中的抗蚀剂图案关键尺寸变化的方法-CN201010159406.6有效
发明人：李伟健;陈光荣;黄武松 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种减轻双曝光工艺中抗蚀剂图案关键尺寸(CD)变化的方法，通常包括：在衬底之上形成光抗蚀剂层；将光抗蚀剂层曝光于第一辐射；对光抗蚀剂层进行显影以在光抗蚀剂层中形成第一图案；在光抗蚀剂层之上形成顶涂层；将顶涂层和光抗蚀剂层曝光于第二辐射；去除顶涂层；以及，对光抗蚀剂层进行显影以在光抗蚀剂层中形成第二图案。
减轻曝光工艺中的抗蚀剂图案关键尺寸变化方法

[发明专利]抗蚀剂图案的形成方法-CN200580046147.3有效
发明人：岩井武;岩下淳 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明的抗蚀剂图案的形成方法，是包括下述工序(i)～(ii)的抗蚀剂图案的形成方法：(i)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层，选择性地进行曝光，在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序；(ii)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层，选择性地进行曝光后，同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像，使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序；该抗蚀剂图案的形成方法的特征在于：作为所述负型抗蚀剂组合物，使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的负型抗蚀剂组合物。
抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]感光干膜抗蚀剂层压体和线路板-CN202210757464.1有效
发明人：朱薛妍;李伟杰;韩传龙;傅明;陈涛 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种感光干膜抗蚀剂层压体，其包括：支撑层，包括第一面和第二面；抗蚀剂层，设于支撑层的第一面，抗蚀剂层包括抗蚀剂；第一面与抗蚀剂层之间具有第一剥离强度，第二面与抗蚀剂层之间具有第二剥离强度，第一剥离强度大于第二剥离强度；支撑层满足，第二面与抗蚀剂层剥离后，第二面上抗蚀剂的残留量小于等于0.01wt%。本发明采用不包含保护层的感光干膜抗蚀剂层压体，解决了保护层缺陷引起的抗蚀剂层质量问题，并且可以降低成本，缩减覆盖保护层工艺；本发明对支撑层远离抗蚀剂层的一面进行改性，使感光干膜抗蚀剂层压体进行收卷时抗蚀剂层不会发生粘连损坏，轻易地将抗蚀剂层从卷中释放开进行贴膜。
感光干膜抗蚀剂层压线路板

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法

[发明专利]光致抗蚀剂掩膜形成方法-CN200710037683.8有效
发明人：孟兆祥;吴永玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂掩膜形成方法，包括：提供基底；以酸性清洗溶液清洗所述基底；在所述清洗后的基底上涂覆光致抗蚀剂层；图形化所述光致抗蚀剂层；检测所述图形化的光致抗蚀剂层；确定所述图形化的光致抗蚀剂层满足产品要求时，将图形化的所述光致抗蚀剂层作为光致抗蚀剂掩膜；确定所述图形化的光致抗蚀剂层不满足产品要求时，执行返工操作，直至确定所述光致抗蚀剂层满足产品要求；所述返工操作包括去除所述光致抗蚀剂层、以酸性清洗溶液清洗去除所述光致抗蚀剂层后的基底、以及光致抗蚀剂层的涂覆、图形化和检测的步骤。可保证经历返工过程后光致抗蚀剂掩膜的线宽尺寸的改变量减小。
光致抗蚀剂掩膜形成方法

[发明专利]形成图案的方法-CN200710001495.X无效
发明人：林思闽 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一基板，基板包括一待蚀刻层；形成一第一抗蚀剂层于基板上；将第一抗蚀剂层的顶部图案化；形成一第二抗蚀剂层于图案化的第一抗蚀剂层上；移除一部分的第二抗蚀剂层；及蚀刻第二抗蚀剂层、第一抗蚀剂层、及待蚀刻层使用本发明的方法，可形成微细图案，但是所使用的抗蚀剂层厚度不会太薄，因此，不会产生抗蚀剂层与基板的黏着问题，而且抗蚀剂层不会有不耐蚀刻而不能保护下层结构的问题。
形成图案方法

[发明专利]移动气泡的方法-CN200610108231.X无效
发明人：侯雅菁;曾焕廷;林思闽;卢柏州;黄永发;尤春祺 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种移动气泡的方法，利用激光镊夹于光致抗蚀剂层中产生光致抗蚀剂层亮区和光致抗蚀剂层暗区，使得光致抗蚀剂层中的气泡，从光致抗蚀剂层亮区移往光致抗蚀剂层暗区。
移动气泡方法

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN201310078720.5有效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳控股株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN200480042537.9无效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳油墨制造株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]减少两步沉积工艺中的结电阻变化-CN201780096732.7在审
发明人： B.J.伯克特 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：在一个方面，一种方法包括：提供电介质基板(208)；在电介质基板上形成第一抗蚀剂层(210)；在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层(212)；以及在第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层(214)。第一抗蚀剂层包括延伸穿过第一抗蚀剂层的厚度的第一开口(216)，第二抗蚀剂层包括在第一开口之上对准并延伸穿过第二抗蚀剂层的厚度的第二开口(218)，第三抗蚀剂层包括在第二开口之上对准并延伸穿过第三抗蚀剂层的厚度的第三开口
减少沉积工艺中的电阻变化

[发明专利]微影方法-CN201910462253.3有效
发明人：翁明晖;刘朕與;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。
方法

[发明专利]干膜抗蚀剂及其制备方法-CN202111415164.7在审
发明人：朱薛妍;严晓慧;李伟杰;张浙南 -专利权人：杭州福斯特电子材料有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种干膜抗蚀剂及其制备方法。干膜抗蚀剂包括支撑层和抗蚀剂层，形成抗蚀剂层的原料包括碱溶性树脂、可光聚合单体和光引发剂，其特征在于，抗蚀剂层为预交联层，抗蚀剂层的交联度为2％～15％。将抗蚀剂层设置为预交联层，即在收卷之前其为经过部分交联的结构，经过预交联后抗蚀剂层的流动性得到了有效控制，且通过对抗蚀剂层交联度的控制又保证了其具有足够的追随性。同时，上述交联度为2％～15％的抗蚀剂层，其具有足够的解析度和显影性，不影响其后续图形化使用要求。
干膜抗蚀剂及其制备方法

[发明专利]抗蚀剂图案的形成方法以及设备-CN201080012819.X无效
发明人：上原刚;青山哲平 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是提供一种抗蚀剂图案的形成方法及设备。当在光致抗蚀剂等设备上形成抗蚀剂图案时，通过均匀化抗蚀剂层的厚度后进行曝光，从而得到良好的抗蚀剂图案。对基板(91)涂敷感光性的抗蚀剂而形成抗蚀剂层(93)(抗蚀剂涂敷工序)。然后，使灰化用处理气体通过压力接近大气压的放电空间(13)而喷出，并与抗蚀剂层(93)接触(大气压远程等离子灰化工序)。接着，对抗蚀剂层(93)局部地照射光(曝光工序)。然后，使抗蚀剂层(93)接触显影液(5)(显影工序)。
抗蚀剂图案形成方法以及设备

[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法-CN201380060226.4在审
发明人：细樅茂 -专利权人：友立材料股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供一种通过电极层的剖面形状为大致逆梯形形状、并且侧面形成为粗化面而提高了电极层和树脂的紧贴性的半导体元件搭载用基板及其制造方法。半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经由下述工序：a)，在金属板表面，通过主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层构成的2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下，按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)显影工序，在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，按照该预定图案，形成开口部，部分性地露出金属板表面；d)使下抗蚀剂层曝光而硬化的工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面的预定镀敷层的形成工序；f)将下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层全部剥离的工序；以及g)使在e)工序中形成了的镀敷层侧面粗化的工序。
半导体元件搭载用基板及其制造方法

[发明专利]应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺-CN02156379.9有效
发明人：林思闽;张尚文;刘家助;陈正中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-18 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺，其首先在一衬底上形成一第一光致抗蚀剂层，并且在第一光致抗蚀剂层上形成一抗反射层，在抗反射层上形成一第二光致抗蚀剂层。接着，对第二光致抗蚀剂层进行一第一曝光工艺之后，进行一第一显影工艺，以构图第二光致抗蚀剂层以及抗反射层。之后，以第二光致抗蚀剂层与抗反射层为掩模，进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以构图第一光致抗蚀剂层。
应用多层光致抗蚀剂层结构光刻工艺

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